Главная » 2012 » Январь » 27 » Renesas Electronics анонсирует выпуск мощных полупроводниковых приборов из карбида кремния RJQ6020DPM, RJQ6021DPM и RJQ6022DPM
2:09 PM
Renesas Electronics анонсирует выпуск мощных полупроводниковых приборов из карбида кремния RJQ6020DPM, RJQ6021DPM и RJQ6022DPM
Компания Renesas Electronics объявила о начале поставок трех мощных полупроводниковых приборов, в которых используется карбид кремния (SiC). Новинки получили обозначения RJQ6020DPM, RJQ6021DPM и RJQ6022DPM. Они представляют собой наборы диодов и транзисторов в общем корпусе, предназначенные для мощных преобразователей или коммутаторов. Изделия относятся ко второй серии мощных полупроводниковых приборов Renesas из карбида кремния, использование которого позволяет уменьшить потери. В числе областей применения новых изделий производитель называет серверы, базовые станции сотовой связи, бытовую технику, такую, как кондиционеры, а также системы электропитания на базе солнечных батарей. Для внешнего оформления используются корпуса TO-3P с пятью выводами.
В корпусе RJQ6020DPM находится высоковольтный диод Шоттки SiC-SBD, рассчитанный на напряжение до 600 В, время восстановления обратного сопротивления которого равно всего лишь 15 нс, и два высоковольтных мощных транзистора MOSFET с сопротивлением в открытом состоянии 100 мОм. В корпусе RJQ6021DPM находится диод SiC-SBD и два биполярных транзистора с изолированным затвором (IGBT), характеризующихся низким значением остаточного напряжения во включенном состоянии — 1,5 В. В корпусе RJQ6022DPM находится два диода SiC-SBD и два транзистора IGBT. Ознакомительные образцы изделий появится в феврале по цене $10 за штуку. Серийный выпуск компания рассчитывает начать в мае.
